Избранное
ЭБ Нефть
и Газ
Главная
Оглавление
Поиск +
Еще книги ...
Энциклопедия
Помощь
Для просмотра
необходимо:


Книга: Главная » Сборник Н.Т. Научно-техническая конференция ФГУП РНИИ КП 26-29 мая 2003г
 
djvu / html
 

230 9. Конструирование и технология производства аппаратуры
Применение диэлектрических слоев Si(>2 и Sis N4 при изготовлении микроэлектронных компонентов
Жеребцов Р. В., Соловьев М. С.
Тонкослойные неорганические материалы на основе Si - диоксид кремния, нитрид кремния с определенной совокупностью физико-химических и электрофизических свойств используются в технологии полупроводниковой микроэлектроники в течение длительного времени. Одной из проблем технологии микроэлектроники является совершенствование процессов осаждения пленок оксида и нитрида кремния с целью получения более качественных пассивирующих и изолирующих слоев в приборных структурах.
Особый интерес вызывают исследования процессов осаждения пленок в печах с реактором пониженного давления методом ХОГФ (химического осаждения из газовой фазы) путем окисления и аммонолиза моносилан.
Оригинальное инженерное решение, а именно, разработка и использование реакционной кассеты и внутренней газовой разводки позволило:
- повысить равномерность слоев до 0,06 мкм в рабочей области пластины;
- исключить попадание порошка SiO2 на кремниевые пластины со стенок реактора;
- снизить расход моносилана в 1,5 раза за счет подвода непосредственно к поверхности пластин.
5
Рис. 1. Общий вид кассеты для кремниевых пластин. / - основание; 2 - крышка; 3 - полозья; 4 - подложкодержатели; 5 - отверстия перфорации;
6 - кремниевые пластины
Разработка дополнительной внутренней оснастки реактора и подбор оптимальных режимов осаждения слоев SiO2 и обеспечивают высокое качество и однородность нанесе-

 

1 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150 160 170 180 190 200 210 220 230 231 232 233 234 235 236 237 238 239 240


Автоматизация производства в нефтяной и химической промышленности. Справочники, статьи